意法半導體’的MOSFET產品采用先進的封裝，具有很寬的擊穿電壓范圍（-500 ~ 1500 V）、低柵極電荷和低導通電阻。 意法半導體’面向高、低壓MOSFET的工藝技術增強了功率處理能力，從而實現了高效解決方案。
產品的主要特性包括：
擊穿電壓范圍：-500 ~ 1500 V
30多種封裝選項，包括1-mm高表面貼裝PowerFLAT? 8x8 HV
為650 V功率MOSFET提供了世界上’最好的RDS(on) *區域值（0.029 ?、TO-247封裝）
改善了柵極電荷，降低了功耗，滿足了當今’極具挑戰性的效率要求
面向所選產品線的本征快速體二極管
在各個支持負載點、電信DC-DC轉換器、PFC、開關模式電源和汽車設備等應用的電壓范圍內，意法半導體都有符合您設計要求的MOSFET。
意法半導體的新款600V MDmesh II Plus低Qg MOSFET系列產品具有極低的柵電荷（Qg）和出色的輸出電容Coss曲線，是諧振型電源（LLC轉換器）的理想之選，同時還支持PFC、TTF或反激式硬開關拓撲。與上一代產品（MDmesh II）相比，它大幅降低了柵電荷和開關損耗。高dv/dt穩定性（50 V/ns）讓器件即使出現了大電壓瞬態（如AC電源線上的噪聲和諧波）也能可靠運行。
STF12NM50ND
N-channel 500 V, 0.29 Ohm,, 11 A, FDmesh II Power MOSFET (with fast diode) in TO-220FP
活性
The FDmesh? II series belongs to the second generation of MDmesh? technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced onresistance and fast switching with an intrinsic fastrecovery body diode.Strongly recommended for bridge topologies, in ZVS phase-shift converters.
下載 數據表
Key Features
The worldwide best RDS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
100% avalanche tested
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance
Extremely high dv/dt and avalanche capabilities
400-6352-900
